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1.再结晶过程描述能够引发材料发生再结晶的过程主要有两个，赛业一个是热处理，另一个是热变形。在EBSD中，兴业新创观察再结晶图最方便的则为DefRex图，从该图中可以直接看出再结晶晶粒并读出其百分数。

4.经典图片解析再结晶晶粒内部是没有位错的，精特而其周围可能具有很高的位错密度，且一般成等轴状。如果应变速率越小，赛决赛成材料变形的时间较多，赛决赛成再结晶有充分的时间发生，而在较大的应变速率下，虽然材料内部贮存了一定的变性能，但是由于应变时间短，再结晶来不及发生。图1 锻造TNM合金的DefRex图（笔者数据）再结晶涉及到大角度晶界的迁移，功举所以再结晶晶粒通常被大角度晶界所包裹，功举利用这一点就可以判断某晶粒是否为再结晶晶粒。

回复一般带来相对均匀的微观结构变化，氢创2氢一般不涉及大角晶界（HAGBs）在变形晶粒之间的迁移。稳态再结晶晶粒尺寸(DS)与初始晶粒尺寸无关，赛业而是与决定稳态流变应力的T和ε有关。

在储存能量的驱动下，兴业新创HAGBs的形成和迁移在变形材料中形成新的晶粒结构，这个过程叫做再结晶。

低的γSFE会促进这种离解反应，精特阻碍位错的攀移和交叉滑移，即延缓DRV。（c）暴露60 分钟后，赛决赛成从B点提取XRD数据的Rietveld精修。

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未经允许不得转载，赛业授权事宜请联系[email protected]。此外，兴业新创研究发现SEI中的LiF具有与体相LiF不同的结构特征，包括较大的晶格参数和较小的晶粒尺寸（3nm）。